此外,好人还可将制备好的二维单晶作为衬底,好人通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶,从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。因此,复盘研究大尺寸二维单晶的生长,具有十分重要的意义。宛城(f)由单核生长的单晶石墨烯光学照片。
因此,曹操现阶段,总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解,可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。现阶段,好人二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。
图四、复盘表面调控(a)Cu(111)上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。
(2)多种优异的性质,宛城例如超高的载流子迁移率,界面之间的超快电荷转移等。到目前为止,曹操只有石墨烯与六方氮化硼(hBN)被制备出接近米量级的单晶。
杂相抑制的目标是提高产物的相纯度,好人从而获得更高的单晶质量。(j-l)在局部氟辅助催化作用下,复盘一种可能的碳源分解反应路径示意图以及对应的能量曲线。
现阶段,宛城在所有二维材料中,只有石墨烯和hBN通过衬底的表面调控生长获得了接近米量级的单晶。曹操(n)利用第一性原理DFT计算不同取向hBN生长的能量曲线。